特許

J-GLOBAL ID：200903062004787057

半導体ナノ結晶材料及びそれらの用途

発明者： ウリ、バニン ,  ユン-ウェイ、カオ
出願人/特許権者： イースム、リサーチ、デベロプメント、カンパニー、オブ、ザ、ヘブライ、ユニバーシティー、オブ、イエルサレム
代理人 (4件)： 吉武 賢次 ,  中村 行孝 ,  紺野 昭男 ,  横田 修孝
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-528852
公開番号（公開出願番号）：特表2004-509475
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2004年03月25日
要約：

本発明は、特定の所望の発光波長、好ましくは近赤外において、所望の発光特性、とりわけ高量子収量及び良好な光化学安定性を有する新規な半導体複合ナノ結晶材料に関する。さらに、本発明は、これらの新規な半導体複合ナノ結晶材料の、特に電気通信の分野における、光学装置、電気装置、電気光学装置及びレーザ装置における種々の用途に関する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

近赤外(NIR)で発光する半導体ナノ結晶コアを含んでなり且つ前記コアを封入している結晶シェルを有し、前記シェルが、そこに封入されている前記コア材料の発光波長が実質的に変化しないようなバンドギャップ及び/又は結晶構造を有し、前記コア/シェルナノ結晶が非封入ナノコアとは異なる変更された量子収量及び/又は化学的及び/又は光安定性を有する、半導体コア/シェルナノ結晶であって、前記ナノ結晶がその外面が有機リガンドでコーテイングされていてもよい、半導体コア/シェルナノ結晶。

IPC (1件)：

H01S5/30

FI (1件)：

H01S5/30

Fターム (5件)：

5F073AA75 ,  5F073BA03 ,  5F073CA02 ,  5F073DA07 ,  5F073EA04