特許

J-GLOBAL ID：200903062005252017

半導体装置及びその製造方法

発明者： 吉田 亨
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 佐野 静夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-305406
公開番号（公開出願番号）：特開平5-114628
出願日： 1991年10月23日
公開日（公表日）： 1993年05月07日
要約：

【要約】【目的】ダイオードなどの半導体素子の上下に存する半田の厚みを正確に制御できる半導体装置及びその製造方法を提供する。【構成】半導体素子14と上フレーム10の間の上半田20と、半導体素子14と下フレーム11の間の下半田21に、硬化温度の違う半田をそれぞれ用いることによって、まず下半田21を硬化させてから、上半田20を硬化させるようにする。上半田20としては、硬化温度が280°CであるSn:Pb:Agの合金組成が5: 92.5: 2.5のものを用い、下半田21としては、硬化温度が309°CであるSn:Pb:Agの合金組成が1: 97.5: 1.5のものを用いており、両者の硬化温度の差は20°C以上である。

請求項（抜粋）：

上フレームと、半導体素子と、下フレームと、前記上フレームと前記半導体素子上部を固定する第1半田と、前記下フレームと前記半導体素子下部を固定する第2半田と、から成る半導体装置であって、前記第1半田の硬化温度が、前記第2半田の硬化温度よりも低いことを特徴とする半導体装置。