特許
J-GLOBAL ID：200903062007415150
高真空パッケ-ジングマイクロジャイロスコ-プ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
志賀 正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-335067
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189467
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：
【要約】【課題】 物体の慣性角速度を検出するための高真空パッケ-ジングマイクロジャイロスコ-プ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 信号処理用応用注文形集積回路が形成された基板とマイクロジャイロスコ-プの懸垂構造物が形成された基板とをフリップ型に接着し、信号処理用応用注文形集積回路をマイクロジャイロスコ-プ懸垂構造物の上層部に立体的に集積させ、各々の内部電極を二重の絶縁膜内に形成されたポリシリコン配線を通じて外部へ抽出することにより素子の最小面積化によるコスト低減効果が非常に高く、マイクロジャイロスコ-プ懸垂構造物と応用注文形集積回路との配線が短くなり、配線が長くなることにより発生する雑音が根源的に除去できるため信号感知感度を極大化する。さらに、高真空で金属とSiとの共融反応を用いて低温で密封することにより真空度も非常に高まる。
請求項（抜粋）：
一側面上の中央部に凹部を備えて形成されたマイクロジャイロスコ-プ懸垂構造物及び前記マイクロジャイロスコ-プ懸垂構造物用内外側電極パッドを有した第1基板と、一側面上に前記マイクロジャイロスコ-プ構造物の運動を感知するための信号処理用回路と、この信号処理用回路と前記マイクロジャイロスコ-プ懸垂構造物との電極を外部へ抽出するための内部配線と真空パッケ-ジングのための密封用の内外側金属/半導体多重層とを有した第2基板とを備え、前記懸垂構造物の受容される前記凹部がキャビティになるように前記懸垂構造物と前記信号処理用回路とが向かい合うように前記第1基板と前記第2基板とが密封されるように接着し、前記二枚の基板の電気的な接地が可能なように前記外側電極パッドと前記外側金属/半導体多重層とを共融接合して前記キャビティを密封し、前記内側電極パッドと前記内側金属/半導体多重層とを共融接合して前記懸垂構造物と前記信号処理用回路の電極とが前記内部配線を通じて前記第2基板の上部へ抽出されて形成されたことを特徴とする高真空パッケ-ジング集積型マイクロジャイロスコ-プ。
IPC (3件)：
H01L 29/84
, G01C 19/56
, G01P 9/04
H01L 29/84 Z
, G01C 19/56
, G01P 9/04
