特許
J-GLOBAL ID：200903062012992794
情報記録媒体、情報記録再生方式及び情報記録再生装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-264370
公開番号（公開出願番号）：特開2001-084546
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】 希土類遷移金属を主成分とするアモルファス合金薄膜を使用した情報記録媒体を提供することを課題とする。【解決手段】 基板上に、垂直磁気異方性を示す希土類遷移金属を主成分とするアモルファス合金薄膜からなる第1磁性層と第2磁性層の積層膜を両層のどちらかが下層になるように少なくとも有し、Hc2>Hc1の関係(Hc1は第1磁性層の保磁力、Hc2は第2磁性層の保磁力)、Tc2>Tc1の関係(Tc1は第1磁性層のキュリー温度、Tc2は第2磁性層のキュリー温度)又はその両方の関係を有し、室温及び零磁界における積層膜の残留磁化が50emu/ccより大きく、磁界を印加しない場合に第1磁性層と第2磁性層の間に界面磁壁が実質的に形成されず、積層膜の磁束を検出することによって情報が再生されることを特徴とする情報記録媒体により上記課題を解決する。
請求項（抜粋）：
垂直磁気異方性を示す希土類遷移金属を主成分とするアモルファス合金薄膜からなる第1磁性層と第2磁性層の積層膜を少なくとも有し、Hc2>Hc1の関係(Hc1は第1磁性層の保磁力、Hc2は第2磁性層の保磁力)、又はTc2>Tc1の関係(Tc1は第1磁性層のキュリー温度、Tc2は第2磁性層のキュリー温度)又はその両方の関係を有し、室温及び零磁界における積層膜の残留磁化が50emu/ccより大きく、磁界を印加しない場合に第1磁性層と第2磁性層の間に界面磁壁が実質的に形成されず、積層膜の磁束を検出することによって情報が再生されることを特徴とする情報記録媒体。
IPC (3件)：
G11B 5/66
, G11B 5/64
, G11B 5/02
G11B 5/66
, G11B 5/64
, G11B 5/02 S
5D006BB01
, 5D006BB07
, 5D006BB08
, 5D006DA03
, 5D006EA03
, 5D006FA09
, 5D091AA10
, 5D091BB06
, 5D091CC11
, 5D091DD03
, 5D091HH20
