特許
J-GLOBAL ID：200903062015801809
半導体集積回路用誘導性素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-284877
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274412
出願日： 1998年10月07日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 インダクタを構成する導電体と基板間に発生する寄生キャパシタンスを小さくし、基板への漏れ電流を少なくすることができる半導体集積回路用誘導性素子を提供すること。【解決手段】 シリコン基板10の表面に所定深さと所定幅とを有するトレンチ15を形成し、このトレンチ15を導電率の低い絶縁物質20で埋め立てることにより、導電性がある基板の表面積を減少させる。そして、そのシリコン基板10の表面上に第1、第2絶縁層25,35を介してインダクタを構成する渦巻形の導電体40を形成する。
請求項（抜粋）：
表面に所定深さのトレンチが形成され、このトレンチが導電率の低い物質で埋め立てられた電気的に導電性がある基板と、この基板の前記表面上に設けられた絶縁層と、この絶縁層上に形成されたインダクタを構成する導電体とを備えることを特徴とする半導体集積回路用誘導性素子。
IPC (3件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 21/76
H01L 27/04 L
, H01L 21/76 L
