半導体記憶装置の容量素子の製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-072802
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274273
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】ノード・コンタクト孔の微細化およびストレージ・ノード電極自体の露出面積の拡大を達成するとともに、ドープト・シリコン膜の形成回数を低減して微細加工工程の簡略化が図れる製造方法を提供する。【構成】シリコン膜111aに開口部116aaを形成し、開口部116aaの側壁にスペーサ状のドープド・シリコン膜121aを残置させ、これをマスクにしてノード・コンタクト孔126aを形成する。シリコン膜111aをパターニングしてシリコン膜111aaを形成し、全面にドープト・シリコン膜131aを形成し、シリコン膜に対するエッチ・バックを行なってドープト・シリコン膜131aa,131abを形成する。

請求項（抜粋）：

P型シリコン基板表面の素子分離領域にフィールド酸化膜を形成し、該P型シリコン基板表面の素子形成領域にゲート酸化膜を形成し、ワード線を兼るゲート電極を形成し、該ゲート電極および該フィールド酸化膜に自己整合的にソース・ドレイン領域となる一対のN型拡散層をそれぞれに形成し、全面に酸化シリコン系の絶縁膜からなる層間絶縁膜を形成する工程と、前記層間絶縁膜を覆うノンドープの第1のシリコン膜を形成し、該第1のシリコン膜にN型不純物を拡散し、該第1のシリコン膜を覆う酸化シリコン膜を形成する工程と、前記N型拡散層の一方に達して形成されるノード・コンタクト孔の形成予定領域を所定の幅で内包する領域上の前記酸化シリコン膜および前記第1のシリコン膜を選択的にエッチングして開口部を形成する工程と、全面に第1の膜厚を有するN型の第1のドープト・シリコン膜を形成し、該第1のドープト・シリコン膜をエッチバックして前記開口部の側壁にのみに該第1のドープト・シリコン膜を選択的に残置する工程と、少なくとも残置された前記第1のドープト・シリコン膜をマスクにしたエッチングにより、前記N型拡散層の一方に達するノード・コンタクト孔を形成する工程と、それぞれの前記ノード・コンタクト孔を個々に内包する領域を覆う姿態のパターンを有するフォトレジスト膜を形成し、該フォトレジスト膜をマスクにして前記第1のシリコン膜をエッチングする工程と、前記フォトレジスト膜を除去し、全面に第2の膜厚を有するN型の第2のドープト・シリコン膜を形成し、少なくとも該第2のドープト・シリコン膜のエッチバックを行なって該第2のドープト・シリコン膜を残置された前記第1のシリコン膜の側面,前記開口部内および前記ノード・コンタクト孔内にのみ選択的に残置する工程と、全面に容量絶縁膜を形成し、セル・プレート電極を形成する工程とを有することを特徴とする半導体記憶装置の容量素子の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3件)：

H01L 27/10 621 C , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 B

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