特許

J-GLOBAL ID：200903062029551201

半導体装置及びその製造方法

発明者： 北 恒博 ,  後藤 伸介
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-352802
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168204
出願日： 1999年12月13日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置の高集積化、高速度化が進んでも、保護回路を構成するトランジスタがその機能を十分果たすことが可能な構造を提供する。【解決手段】 保護回路が形成された第1導電型ウエル領域5aと、この第1導電型ウエル領域5aに上部は素子分離領域2に隔てられ、素子分離領域2の底面より下では、接合されている高不純物濃度の第2導電型ウエル領域4とを備えている。第1導電型ウエル領域は、素子分離領域を越えて第2導電型ウエル領域に入り込んでいるか素子分離領域の幅の半分より第2導電型領域側に入り込んでいる。過電流は保護回路のトランジスタのソース/ドレイン領域間を流れずに、ドレイン領域から空乏層が延びて第1導電型ウエル領域の第2導電型ウエル領域に入り込んだ部分に接触して、ドレイン領域と第2導電型ウエル領域に入り込んだ部分との間を流れるようになる。

請求項（抜粋）：

複数の素子領域が素子分離領域により区画されて形成されている半導体基板と、前記半導体基板に形成された第1導電型ウエル領域と、前記半導体基板に形成され、前記第1導電型ウエル領域とは前記素子分離領域により分離されている第2導電型ウエル領域とを備え、前記第1導電型ウエル領域は、前記素子分離領域を越えて前記第2導電型ウエル領域に入り込むようにすることを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 27/08 102 F ,  H01L 27/04 H ,  H01L 29/78 301 K

Fターム (37件)：

5F038AV06 ,  5F038BH05 ,  5F038BH07 ,  5F038BH13 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA23 ,  5F040DA24 ,  5F040DB01 ,  5F040DB06 ,  5F040DC01 ,  5F040EC07 ,  5F040EK05 ,  5F040FB01 ,  5F040FC10 ,  5F040FC11 ,  5F040FC12 ,  5F048AA02 ,  5F048AC03 ,  5F048BB05 ,  5F048BC06 ,  5F048BC18 ,  5F048BD07 ,  5F048BE00 ,  5F048BE01 ,  5F048BE03 ,  5F048BE06 ,  5F048BE10 ,  5F048BG12 ,  5F048BG14 ,  5F048CC06 ,  5F048CC09 ,  5F048CC13 ,  5F048CC15 ,  5F048CC18 ,  5F048CC19 ,  5F048DA27