特許

J-GLOBAL ID：200903062032506470

半導体の異常診断回路

発明者： 阿部 哲郎
出願人/特許権者： 日産自動車株式会社
代理人 (3件)： 菊谷 公男 ,  牧 哲郎 ,  牧 レイ子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-234695
公開番号（公開出願番号）：特開2004-080865
出願日： 2002年08月12日
公開日（公表日）： 2004年03月11日
要約：

【課題】異常診断のための比較回路の数を低減しながらも、並列接続されたIGBTのOFF固定故障をも検知できる半導体素子の異常診断回路を提供することを目的とする。【解決手段】複数のIGBTを並列接続して使用するインバータのモジュールにおいて、当該並列接続のIGBTは同一半導体基板2上にIGBT3と温度検出用ダイオード4を設け、複数の温度検出用ダイオード4を直列接続した少なくとも2組に分け、定電流回路5から各組の直列接続された温度検出用ダイオード4に電流を供給し、各組の直列電圧降下を差分回路6で差をとり、その差電圧が所定の電圧を越えた場合、IGBT2のいずれかが異常であると判断して信号を発する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

複数の半導体素子とその温度を検出するための温度検出用ダイオードを内蔵した半導体モジュールの異常を検出する、半導体の異常診断回路において、 前記温度検出用ダイオードを少なくとも2組に分け、 各組ごとに含まれる前記温度検出用ダイオードを直列に接続し、該直列に接続された温度検出用ダイオードに定電流回路から一定電流を供給し、 前記各組の温度検出用ダイオードの直列出力電圧和の差分演算をする差分演算手段と、 該差分演算手段の出力する差分が所定値以上の場合を検出し信号を発する異常検知手段を備えたことを特徴とする半導体素子の異常診断回路。

IPC (6件)：

H02M1/00 ,  G01R31/26 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H02M1/08 ,  H02M7/48

FI (5件)：

H02M1/00 R ,  G01R31/26 A ,  H02M1/08 341B ,  H02M7/48 M ,  H01L27/04 H

Fターム (26件)：

2G003AA01 ,  2G003AB16 ,  2G003AF06 ,  2G003AH05 ,  5F038AZ08 ,  5F038BH04 ,  5F038BH06 ,  5F038BH16 ,  5F038EZ20 ,  5H007AA05 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CC07 ,  5H007DB12 ,  5H007DC08 ,  5H007HA03 ,  5H007HA04 ,  5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB02 ,  5H740JA28 ,  5H740MM08 ,  5H740NN17 ,  5H740PP01 ,  5H740PP02