特許
J-GLOBAL ID：200903062034516643
磁化制御方法、磁気機能素子、情報記録方法、情報記録素子及び可変抵抗素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-130711
公開番号（公開出願番号）：特開平11-330585
出願日： 1998年05月13日
公開日（公表日）： 1999年11月30日
要約：
【要約】【課題】 磁気メモリ等を実現するのに好適な磁化制御方法として、微細化に伴うクロストークの発生や保磁力の低下といった問題を回避することが可能な磁化制御方法を提供する。また、そのような磁化制御方法を採用した各種素子を提供する。【解決手段】 導電性を有する材料を含む導電体層が磁性層の間に位置するように、導電体層と複数の磁性層とが積層されてなる積層体を構成する。そして、上記積層体の導電体層に電流を流すことで、磁性層間の磁気的結合状態を変化させて、磁性層の磁化方向を制御する。
請求項（抜粋）：
導電性を有する材料を含む導電体層が磁性層の間に位置するように、導電体層と複数の磁性層とが積層されてなる積層体を構成し、上記積層体の導電体層に電流を流すことで、磁性層間の磁気的結合状態を変化させて、磁性層の磁化方向を制御することを特徴とする磁化制御方法。
IPC (3件)：
H01L 43/08
, G11C 11/15
, H01L 43/00
H01L 43/08 Z
, G11C 11/15
, H01L 43/00
