特許

J-GLOBAL ID：200903062034962554

イオン注入装置

発明者： 大坪 隆之
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-223775
公開番号（公開出願番号）：特開平7-057683
出願日： 1993年08月17日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：

【要約】【目的】 予めフラグファラデーにより測定するビーム電流値と実際のイオン注入時のプラテンでのビーム電流測定値とがほぼ同一になるようにする。【構成】 ウエハ10を保持するプラテン21とフラグファラデー24を配置したマスク22とが、取付部材23を介して直角状に連設され、回転軸23aを中心として矢印a及びb方向へ一体的に回動される。マスク22を起立させた状態でフラグファラデー24にイオンビーム12を照射し、ビーム電流を測定する。その後、プラテン21を起立させた状態でウエハ10にイオンビーム12を照射し、プラテン21でのビーム電流をモニターしながらイオンを注入する。フラグファラデー24とプラテン21とが同一の位置に設置されるので、フラグファラデー24とプラテン21とによるビーム電流の測定値が同一になる。

請求項（抜粋）：

イオン源からのイオンビームを試料に照射してイオンを試料に注入するイオン注入装置において、前記試料へのイオン注入前にビーム電流を測定するためのフラグファラデーを、前記試料を保持するためのプラテンとほぼ同一の位置に設置したことを特徴とするイオン注入装置。

IPC (3件)：

H01J 37/317 ,  H01J 37/04 ,  H01L 21/265

FI (2件)：

H01L 21/265 D ,  H01L 21/265 T