特許
J-GLOBAL ID：200903062038841280
位相シフトマスクおよびその検査方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-027060
公開番号（公開出願番号）：特開平6-308712
出願日： 1993年02月17日
公開日（公表日）： 1994年11月04日
要約：
【要約】【目的】位相シフトマスクを用いて投影露光しウェハ上に転写したレジストパターンの幅を測定することにより、位相シフトマスクにおける位相シフタの透過率誤差や位相シフト角誤差を測定し、検査する。【構成】ガラス基板1上にクロム2で周期的なラインアンドスペースパターンを形成し、更に、位相シフタ3を光透過部に1つおきに配置する。前記位相シフトマスクによりウェハ4上に塗布されたレジスト5をフォーカスを変化させながらi線4により露光し現像する。次にウェハ4上に位相シフタを通して露光し形成したレジストパターン幅Wsと、位相シフタを通さずに露光し形成したレジストパターン幅Woを測長する。デフォーカスに対するWsとWoの関係により、位相シフタの透過率誤差や位相シフト角誤差を測定する。
請求項（抜粋）：
ガラス基板上にクロム等の遮光体により半導体集積回路パターンが形成され且つその透明領域の一部に位相シフタを配置した位相シフトマスクに於て、前記ガラス基板上の半導体集積回路パターンに支障ない領域に周期的な繰り返しパターンを設け、更に、位相シフタを前記繰り返しパターンの透過部に1つおきに配置したことを特徴とする位相シフトマスク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/30 301 P
, H01L 21/30 301 V
, H01L 21/30 311 W
