特許

J-GLOBAL ID：200903062038975308

プラズマエッチング装置用シリコン電極装置

発明者： 白井 龍夫 ,  畑 博士
出願人/特許権者： 住友シチックス株式会社
代理人 (1件)： 森 正澄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074006
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274069
出願日： 1995年03月30日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】 応力集中による割れを回避してシリコン電極の寿命を長くし、加工ダメージ及びコンタミネーションの除去がなされ得るプラズマエッチング装置用シリコン電極装置を提供すること。【構成】 シリコン電極体と、このシリコン電極体を基台に固定する支持部材を備えたプラズマエッチング装置用のシリコン電極装置において、シリコン電極体1は、複数の細孔3を穿設したガス孔円板であって、外周部11が円錐形状に形成され、支持部材15は、シリコン製であって、内周部16がシリコン電極体1の外周部11に嵌合する形状に形成される。更に、ガス孔板を10μm〜100μmの範囲でエッチングして、細孔3,3の端縁の稜部2の角2aが除去されているプラズマエッチング装置用シリコン電極装置である。

請求項（抜粋）：

プラズマエッチング用ガスが流通する複数の細孔を備えたシリコン電極体と、このシリコン電極体を基台に固定する支持部材を備えたプラズマエッチング装置用のシリコン電極装置において、前記シリコン電極体は、前記複数の細孔を穿設したガス孔円板であって、外周部が円錐形状に形成され、前記支持部材は、内周部が前記シリコン電極体の外周部に嵌合する形状に形成されていることを特徴とするプラズマエッチング装置用シリコン電極装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/24 ,  C23F 4/00

FI (3件)：

H01L 21/302 C ,  C23F 1/24 ,  C23F 4/00 Z