特許
J-GLOBAL ID:200903062040626906

二次電池のメモリ効果判定装置および二次電池の残存容量検出装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 五十嵐 孝雄 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-004201
公開番号(公開出願番号):特開2001-196100
出願日: 2000年01月13日
公開日(公表日): 2001年07月19日
要約:
【要約】【課題】 二次電池で生じたメモリ効果の程度を定量する。【解決手段】 電気回路10において、二次電池20で生じたメモリ効果の程度を判定する際には、電流センサ40,電圧センサ45,温度センサ25の検出信号を制御部50に入力する。制御部50には、二次電池20の抵抗値および二次電池20の温度に関する情報と、メモリ効果の程度との間の関係が、予めマップとして記憶されている。上記センサからの検出信号を入力して、制御部50は、二次電池20の抵抗値を算出すると共に、上記マップを参照して、二次電池20で生じたメモリ効果の程度を判定する。
請求項(抜粋):
充放電可能な二次電池において生じたメモリ効果の程度を判定するメモリ効果判定装置であって、前記二次電池の出力電圧値を検出する電圧検出手段と、前記二次電池の出力電流値を検出する電流検出手段と、前記二次電池の温度を検出する温度検出手段と、前記二次電池の出力状態を検出する出力状態検出手段と、前記出力状態検出手段が検出した前記出力状態が、予め定めた所定の状態であるかどうかを判別する判別手段と、前記二次電池の出力電圧値と、前記二次電池の出力電流値と、前記二次電池の温度とに基づく情報と、前記二次電池で発生するメモリ効果の程度との間の関係を、予めマップとして記憶する記憶手段と、前記判別手段が、前記所定の状態であると判別したときに、前記電圧検出手段が検出した前記出力電圧値と、前記電流検出手段が検出した前記出力電流値と、前記温度検出手段が検出した前記温度とに基づいて、前記記憶手段に記憶したマップを参照することによって、前記二次電池で発生するメモリ効果の程度を判定するメモリ効果程度判定手段とを備えるメモリ効果判定装置。
Fターム (6件):
5H030AA00 ,  5H030AS18 ,  5H030FF22 ,  5H030FF42 ,  5H030FF43 ,  5H030FF44

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