特許
J-GLOBAL ID：200903062046830823
研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
佐々木 宗治 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-357249
公開番号（公開出願番号）：特開2002-164307
出願日： 2000年11月24日
公開日（公表日）： 2002年06月07日
要約：
【要約】【課題】 基材上に少なくとも銅層とタンタル含有化合物層を含むデバイスパターンが形成されたウェーファーを研磨するに当たり、高密度銅配線部にてもエロージョンの悪化を極力抑制した研磨用組成物および研磨方法を提供する。【解決手段】 (a)二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンからなる群から選ばれる少なくとも1種類である研磨材、(b)ポリアルキレンイミン、(c)キナルジン酸およびその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種類、(d)グリシン、αアラニン、ヒスチジンおよびそれらの誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種類、(e)ベンゾトリアゾールおよびその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種類、(f)過酸化水素、および(g)水、の各成分を含むことを特徴とする研磨用組成物、および、それを使用して半導体デバイスを研磨する研磨方法。
請求項（抜粋）：
下記(a)〜(g)の各成分を含むことを特徴とする研磨用組成物。(a)二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化セリウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンからなる群から選ばれる少なくとも1種類である研磨材、(b)ポリアルキレンイミン、(c)キナルジン酸およびその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種類、(d)グリシン、αアラニン、ヒスチジンおよびそれらの誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種類、(e)ベンゾトリアゾールおよびその誘導体からなる群から選ばれた少なくとも1種類、(f)過酸化水素、および(g)水。
IPC (5件)：
H01L 21/304 622
, H01L 21/304
, B24B 37/00
, C09K 3/14 550
, C09K 3/14
H01L 21/304 622 D
, H01L 21/304 622 X
, B24B 37/00 H
, C09K 3/14 550 D
, C09K 3/14 550 Z
3C058CB02
, 3C058DA02
, 3C058DA12
, 3C058DA17
