特許
J-GLOBAL ID:200903062051440774
ナノ構造およびそれを実施する光起電力セル
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (7件):
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-540018
公開番号(公開出願番号):特表2009-507398
出願日: 2006年08月22日
公開日(公表日): 2009年02月19日
要約:
本発明の1つの実施形態に係る光起電力ナノ構造は、第1の電極に接続されている導電性ナノケーブル、ナノケーブルの少なくとも2面に沿って伸びている第2の電極、およびナノケーブルと第2の電極との間に形成される光起電力的に活性なp-n接合を含む。1つの実施形態に係る光起電力アレイは、上で列挙したような複数の光起電力ナノ構造を備える。ナノ構造を形成するための方法もまた示す。
請求項(抜粋):
第1の電極に接続されている導電性ナノケーブル;
前記ナノケーブルの少なくとも2面に沿って伸びている第2の電極;および
前記ナノケーブルと前記第2の電極との間に形成された光起電力的に活性なp-n接合
を含む、光起電力ナノ構造。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L31/04 C
, H01L31/04 S
Fターム (15件):
5F051AA02
, 5F051AA03
, 5F051AA05
, 5F051AA09
, 5F051CA15
, 5F051CB12
, 5F051CB21
, 5F051DA01
, 5F051DA03
, 5F051DA16
, 5F051DA20
, 5F051EA01
, 5F051FA04
, 5F051GA03
, 5F051GA04
引用特許:
引用文献:
審査官引用 (1件)
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Aligned Single-Crystalline Si Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications
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