特許
J-GLOBAL ID:200903062051440774

ナノ構造およびそれを実施する光起電力セル

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (7件): 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-540018
公開番号(公開出願番号):特表2009-507398
出願日: 2006年08月22日
公開日(公表日): 2009年02月19日
要約:
本発明の1つの実施形態に係る光起電力ナノ構造は、第1の電極に接続されている導電性ナノケーブル、ナノケーブルの少なくとも2面に沿って伸びている第2の電極、およびナノケーブルと第2の電極との間に形成される光起電力的に活性なp-n接合を含む。1つの実施形態に係る光起電力アレイは、上で列挙したような複数の光起電力ナノ構造を備える。ナノ構造を形成するための方法もまた示す。
請求項(抜粋):
第1の電極に接続されている導電性ナノケーブル; 前記ナノケーブルの少なくとも2面に沿って伸びている第2の電極;および 前記ナノケーブルと前記第2の電極との間に形成された光起電力的に活性なp-n接合 を含む、光起電力ナノ構造。
IPC (2件):
H01L 31/042 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01L31/04 C ,  H01L31/04 S
Fターム (15件):
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051AA05 ,  5F051AA09 ,  5F051CA15 ,  5F051CB12 ,  5F051CB21 ,  5F051DA01 ,  5F051DA03 ,  5F051DA16 ,  5F051DA20 ,  5F051EA01 ,  5F051FA04 ,  5F051GA03 ,  5F051GA04
引用特許:
審査官引用 (8件)
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引用文献:
審査官引用 (1件)
  • Aligned Single-Crystalline Si Nanowire Arrays for Photovoltaic Applications

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