特許
J-GLOBAL ID：200903062053666451
積層セラミックコンデンサおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-229645
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067573
出願日： 1997年08月26日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：
【要約】【課題】容量部と絶縁層の焼成収縮差を緩和させて残留応力の発生を抑制し、信頼性の高い積層セラミックコンデンサを提供する。【解決手段】誘電体層4と内部電極層3を交互に積層してなる容量部6と、容量部6の上下面に設けられた絶縁層5とからなる積層セラミックコンデンサにおいて、容量部6の厚みt1 が全体厚みtの72〜80%であり、かつ、容量部6と絶縁層5の熱膨張係数の差が2.5×10-6/°C以下であるものである。
請求項（抜粋）：
誘電体層と内部電極層を交互に積層してなる容量部と、該容量部の上下面に設けられた絶縁層とからなる積層セラミックコンデンサにおいて、前記容量部の厚みが全体厚みの72〜80%であり、かつ、前記容量部と前記絶縁層の熱膨張係数の差が2.5×10-6/°C以下であることを特徴とする積層セラミックコンデンサ。
IPC (2件)：
H01G 4/12 346
, H01G 4/12 364
H01G 4/12 346
, H01G 4/12 364
