特許

J-GLOBAL ID：200903062054255048

SiC製電界効果トランジスタ及びその製造方法

発明者： ローゼ,ヴェルナー ,  コレク,ヤーツェク ,  ニーマン,エッケハルト ,  ボース,アルフレート
出願人/特許権者： ダイムラー-ベンツ アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外3名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-503657
公開番号（公開出願番号）：特表平9-504656
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年05月06日
要約：

【要約】ソース、ゲート、及びドレインコンタクトを有するSiCからなる電界効果トランジスタにおいて、ソースコンタクトは、半導体プレートの表面に設けられ、ドレインコンタクトは、前記半導体板の下側に設けられ、ゲートコンタクトは、溝状構造に設けられており、該溝状構造は、電界効果トランジスタのソース電極を環状に囲み、前記ゲートコンタクトは、溝の底の上で一緒に結合されている。

請求項（抜粋）：

ソース、ゲート、及びドレインコンタクトを有するSiCからなる電界効果トランジスタにおいて、ソースコンタクト(1)は、半導体プレートの表面に設けられ、ドレインコンタクトは、前記半導体板の下側に設けられ、ゲートコンタクト(4)は、溝状構造に設けられており、該溝状構造は、電界効果トランジスタのソース電極を環状に囲み、前記ゲートコンタクト(4)は、溝の底の上で一緒に結合されていることを特徴とする電界効果トランジスタ。

IPC (5件)：

H01L 29/80 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/78

FI (6件)：

H01L 29/80 V ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 29/44 C ,  H01L 21/265 R

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特開平1-196873
  
• 特開昭54-011685
  
• 特開昭53-147469
  

審査官引用 (3件)

• 特開平1-196873
  
• 特開昭54-011685
  
• 特開昭53-147469