特許

J-GLOBAL ID：200903062057117045

磁気抵抗効果型ヘッドおよび録再分離型磁気ヘッド

発明者： 與田 博明 ,  澤邊 厚仁 ,  堀 昭男 ,  岩崎 仁志 ,  井上 直行
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 須山 佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-217379
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307012
出願日： 1994年09月12日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】 面記録密度が例えばGb /inch2 を超えるような高記録密度システムに対応し得るシールド型の磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【構成】 一対のリード16が接続され、磁界応答部14aを有する磁気抵抗効果膜14を、磁気ギャップ形成用絶縁膜13、18を介して上下一対のシールド層12、20で挟持する磁気抵抗効果型ヘッド21である。上側シールド層の磁気抵抗効果膜対向面の幅をWs 、一対のリードの間隔をWr 、磁気抵抗効果膜の磁界応答部の幅をTr としたとき、Ws r およびTr r を満足させる。さらに、シールド層12、20の少なくとも一部は、絶縁層19に設けられたトレンチ19a内に埋め込み形成する。これにより、例えば記録磁気ギャップに実質的に直線性を付与する。

請求項（抜粋）：

一対のリードが接続され、磁界応答部を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の下側に磁気ギャップ形成用絶縁膜を介して配置された下側シールド層と、前記磁気抵抗効果膜の上側に磁気ギャップ形成用絶縁膜を介して配置された上側シールド層とを具備する磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記上側シールド層の磁気抵抗効果膜対向面の幅をWs 、前記一対のリードの間隔をWr 、前記磁気抵抗効果膜の磁界応答部の幅をTr としたとき、Ws r およびTr r を満足することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。