特許

J-GLOBAL ID：200903062058063828

半導体装置

発明者： 当山 勝利 ,  坂本 孝一
出願人/特許権者： 株式会社村田製作所
代理人 (1件)： 中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-030890
公開番号（公開出願番号）：特開平7-221328
出願日： 1994年02月01日
公開日（公表日）： 1995年08月18日
要約：

【要約】【構成】 n+層1の上にn-層2をエピタキシャル成長させ、n-層2の上面にショットキー電極3を設け、n+層1の下面にオーミック電極4を設けたショットキーバリアダイオードにおいて、キャリア濃度の異なる低キャリア濃度層2aと高キャリア濃度層2bを交互に複数層積層してn-層2を構成する。【効果】 逆バイアス時の耐圧が同等な従来のショットキーバリアダイオードと比較してより大きな順方向電流を流すことができる。

請求項（抜粋）：

第1の半導体層の上方に第2の半導体層を形成し、第2の半導体層の上面にショットキー電極を設け、第1の半導体層の下面にオーミック電極を設けたショットキーバリア型の半導体装置において、前記第2の半導体層をキャリア濃度の異なる2種類の半導体層を交互に積層することによって構成したことを特徴とする半導体装置。