特許
J-GLOBAL ID：200903062062558858
円筒状部材の内周面への被膜形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大澤 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-274878
公開番号（公開出願番号）：特開平10-168582
出願日： 1997年10月07日
公開日（公表日）： 1998年06月23日
要約：
【要約】【課題】 円筒状部材の内周面に均一な膜厚で中間層を形成し、その上に硬質カーボン膜を密着性よくしかも均一な膜厚で形成することができるようにする。【解決手段】 円筒状部材11の内周面11bを形成する開口11a内に第1の中間層材料からなる補助電極23を挿入し、その補助電極23のスパッタあるいは抵抗加熱蒸着により第1の中間層を形成する。さらに、その円筒状部材11に補助電極を挿入して、真空層内にシリコン又はゲルマニウムを含むガスを導入してプラズマを発生させ、内周面11bの第1の中間層上にシリコン膜又はゲルマニウム膜による第2の中間層を形成する。その後、真空層内に炭素を含むガスを導入してプラズマを発生させ、内周面11bの第2の中間層上に硬質カーボン膜を形成する。
請求項（抜粋）：
真空槽内に円筒状部材を配置するとともにも、該円筒状部材の内周面を形成する開口内に、第1の中間層材料からなる補助電極を挿入し、前記円筒状部材を接地電位にするかあるいはそれに直流負電圧を印加して、前記真空槽内を排気した後、該真空槽内にスパッタガスを導入し、前記補助電極に直流負電圧を印加して前記円筒状部材の開口内の前記補助電極の周囲にプラズマを発生させ、該補助電極をなす第1の中間層材料のスパッタにより、前記円筒状部材の内周面に該円筒状部材と密着性のよい第1の中間層を形成する第1の中間層形成工程と、真空槽内に内周面に前記第1の中間層を形成した円筒状部材を配置し、該円筒状部材の前記開口内に補助電極を挿入し、該補助電極を接地電位にするかあるいはそれに直流正電圧を印加し、前記真空槽内を排気した後、該真空槽内にシリコンまたはゲルマニウムを含むガスを導入し、前記円筒状部材に電圧を印加して前記真空槽内にプラズマを発生させ、プラズマCVDプロセスにより前記円筒状部材の内周面の前記第1の中間層上に硬質カーボン膜と結合性のよい第2の中間層を形成する第2の中間層形成工程と、真空槽内に内周面に前記第1,第2の中間層を形成した円筒状部材を配置し、該円筒状部材の前記開口内に補助電極を挿入し、該補助電極を接地電位にするかあるいはそれに直流正電圧を印加して、前記真空槽内を排気した後、該真空槽内に炭素を含むガスを導入し、前記円筒状部材に電圧を印加して前記真空槽内にプラズマを発生させ、プラズマCVDプロセスにより該円筒状部材の内周面の前記第2の中間層上に硬質カーボン膜を形成する硬質カーボン膜形成工程と、からなることを特徴とする円筒状部材の内周面への被膜形成方法。
IPC (5件)：
C23C 28/00
, C23C 14/14
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, C30B 29/04
C23C 28/00 B
, C23C 14/14 D
, C23C 16/26
, C23C 16/50
, C30B 29/04 B
