特許

J-GLOBAL ID：200903062063396029

半導体ウエーハの切断方法

発明者： 村田 正博
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-219734
公開番号（公開出願番号）：特開平5-063076
出願日： 1991年08月30日
公開日（公表日）： 1993年03月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウエーハを半導体チップに切断分離する半導体ウエーハの切断方法の改良に関し、一種類のみのブレードを用い、半導体チップにチッピングによる障害が発生するのを防止することを目的とする。【構成】 固定テープ2に貼付した半導体ウエーハ1に形成した半導体チップ1aの間の不活性領域1bに、ブレード3の幅の切断溝を形成してこの半導体チップ1aに分離する半導体ウエーハの切断方法において、このブレード3をこの切断溝1bの位置から一方向に移動してこの半導体ウエーハ1の表面に溝1dを形成する工程と、このブレード13をこの切断溝1bの位置からこの移動方向と逆方向に移動してこの半導体ウエーハ1の表面にこの溝1dと同じ深さの溝1eを形成する工程と、この切断溝1bの位置において、この半導体ウエーハ1の全部及びこの固定テープ2の表面部分とをこのブレード3により切削する工程とを含むように構成する。

請求項（抜粋）：

固定テープ(2) に貼付した半導体ウエーハ(1) に形成した半導体チップ(1a)の間の不活性領域(1b)に、ブレード(3)を用いて前記ブレード(3)の幅の切断溝(1c)を形成して前記半導体チップ(1a)に分離する半導体ウエーハの切断方法において、前記ブレード(3) を前記切断溝(1c)の中心線上から一方向に移動した後、前記半導体ウエーハ(1) の表面に第1次カット溝(1d)を形成する工程と、前記ブレード(3) を前記切断溝(1c)の中心線上から前記移動方向と逆方向に移動した後前記半導体ウエーハ(1) の表面に前記溝(1d)と同じ深さの第2次カット溝(1e)を形成し、前記二つの溝(1d,1e) からなり各溝(1d),(1e) より幅広な一体化した第1の溝を形成する工程と、前記切断溝(1c)の中心線上において、前記第1の溝内にそれより幅の狭い第2の溝を形成する工程と、を含むことを特徴とする半導体ウエーハの切断方法。