特許

J-GLOBAL ID：200903062064892194

高解像性レジスト組成物及びこれを用いたパターン形成方法

発明者： 並木 崇久 ,  矢野 映 ,  渡部 慶二 ,  五十嵐 美和
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 青木 朗 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-282987
公開番号（公開出願番号）：特開平6-130668
出願日： 1992年10月21日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】 レジスト組成物に関し、次世代超LSIの製造で必要となる微細パターンを形成するのに使用することができる実用的な高解像力ポジ型レジスト組成物の提供を目的とする。【構成】 本発明のレジスト組成物は、アルカリ可溶性基材樹脂と、電離放射線の照射によってアルカリ性化合物を発生するアルカリ発生剤とを含んでなる。

請求項（抜粋）：

アルカリ可溶性の基材樹脂と、電離放射線の照射によってアルカリ性化合物を発生するアルカリ発生剤とを含んでなることを特徴とするレジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/039 501 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/30 ,  H01L 21/027