特許

J-GLOBAL ID：200903062075861355

微細パターンを有するデバイスの不良箇所検出方法

発明者： 北 明夫 ,  高瀬 俊二
出願人/特許権者： 沖電気工業株式会社
代理人 (1件)： 鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-306193
公開番号（公開出願番号）：特開平5-144901
出願日： 1991年11月21日
公開日（公表日）： 1993年06月11日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、微細パターンを有するデバイス、その典型としては半導体装置の導体パターンのショート・オープンなどの不良箇所を検出する方法に関するもので、従来目視で行なっていた不正確さ、迅速性がない点を解消する方法を提供することを目的とする。【構成】 前記目的実現のために本発明は、前記導体パターン103,104の一部を接地105した上、イオンビームを照射し、そのイオンビームのチャージアップ現象による2次電子像のコントラストを観察して不良箇所106を特定するようにした。

請求項（抜粋）：

絶縁体上に導体パターンが形成されているデバイスの該導体パターンの不良箇所を検出する方法として、前記導体パターンの一部を接地した上、該導体パターンにイオンビームを照射し、そのイオンビームによるチャージアップ現象を利用して、前記導体パターンからの2次電子像のコントラストを観察することによって前記不良箇所を特定することを特徴とする微細パターンを有するデバイスの不良箇所検出方法。

IPC (4件)：

H01L 21/66 ,  G01B 7/34 102 ,  H01J 37/26 ,  H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-071158
  
• 特開昭61-170669