特許

J-GLOBAL ID：200903062079939472

微細加工薄膜水素ガスセンサーおよびその製造方法および使用方法

発明者： ディメオ,フランク,ジュニア. ,  バンダリ,ガウタム
出願人/特許権者： アドバンスド.テクノロジー.マテリアルス.インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-595142
公開番号（公開出願番号）：特表2002-535651
出願日： 2000年01月12日
公開日（公表日）： 2002年10月22日
要約：

【要約】薄膜センサー素子を備える水素センサーが、例えば、有機金属化学蒸着(MOCVD)または物理的蒸着(PVD)によって、マイクロホットプレート構造体上に形成される。前記薄膜センサー素子は、水素と可逆的に相互作用して光透過率、電導度、電気抵抗、静電容量、磁気抵抗、光導電性など、水素の非存在下の膜の応答特性に対して、相応して変化した応答特性を提供する水素相互作用金属膜の膜を備える。前記水素相互作用金属膜は、前記水素相互作用膜を非水素種との有害な相互作用から保護するために薄膜水素透過遮断層でオーバーコートされてもよい。本発明の水素センサーを、水素の侵入または発生しやすい環境中の水素の検出のために有効に使用することができ、ハンドヘルドの装置として便利に配置することができる。

請求項（抜粋）：

水素相互作用薄膜センサー素子をマイクロホットプレート構造体上に含む、水素センサー。

IPC (4件)：

G01N 27/12 ,  G01N 21/75 ,  G01N 27/04 ,  G01N 27/22

FI (6件)：

G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 A ,  G01N 27/12 C ,  G01N 21/75 Z ,  G01N 27/04 E ,  G01N 27/22 A

Fターム (48件)：

2G046AA05 ,  2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046BB02 ,  2G046BE03 ,  2G046BF01 ,  2G046CA09 ,  2G046DB05 ,  2G046EA01 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA12 ,  2G046EB01 ,  2G046FB00 ,  2G046FE00 ,  2G046FE02 ,  2G046FE09 ,  2G046FE16 ,  2G046FE18 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G054AA01 ,  2G054BA01 ,  2G054CA04 ,  2G054EA04 ,  2G054FA27 ,  2G054FA37 ,  2G054GB04 ,  2G054GB10 ,  2G054JA00 ,  2G060AA01 ,  2G060AB03 ,  2G060AE19 ,  2G060AF08 ,  2G060AF10 ,  2G060BA09 ,  2G060BB09 ,  2G060HA01 ,  2G060HB06 ,  2G060HC13 ,  2G060HC19 ,  2G060HC21 ,  2G060HD00 ,  2G060HD01 ,  2G060HD02 ,  2G060HE02 ,  2G060JA01 ,  2G060KA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平4-204042
  
• 水素ガスセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-292656   出願人：富士電機株式会社
• 水素ガス検出器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-058853   出願人：ソニー株式会社
• 特開昭59-120945