特許

J-GLOBAL ID：200903062082603809

絶縁膜の形成方法

発明者： 長谷川 利昭
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-011491
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205088
出願日： 1996年01月26日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：

【要約】【課題】 絶縁膜形成のための熱処理に際して、ボイドの発生を防止する。【解決手段】 半導体装置の基体1表面に絶縁膜2を形成する方法であって、基体1表面に形成した絶縁膜2を熱処理するに際し、雰囲気の圧力を基体1と絶縁膜2との密着力よりも高い圧力にする。この絶縁膜2としては、例えばフロロカーボン膜を用いることができ、この場合の熱処理は不活性なガス雰囲気中で行う。またこの熱処理は、処理温度を、所定の温度まで昇温させて、その所定の温度に保持させた後、降温させる処理であり、上記所定の温度をフロロカーボン膜のガラス転移温度以上でかつフロロカーボン膜の熱分解温度未満の温度範囲に設定する。

請求項（抜粋）：

半導体装置の基体表面に絶縁膜を形成する方法であって、前記基体表面に形成した絶縁膜を熱処理する工程を有し、該熱処理の際は、雰囲気の圧力を前記基体と前記絶縁膜との密着力よりも高い圧力にすることを特徴とする絶縁膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 ,  B05D 5/12 ,  B05D 7/24 302 ,  C08J 7/00 301 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/316 P ,  B05D 5/12 D ,  B05D 7/24 302 L ,  C08J 7/00 301 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 21/90 P ,  H01L 21/95