特許

J-GLOBAL ID：200903062085994051

ヒートシンク台及びその製造方法

発明者： 渡辺 靖
出願人/特許権者： 大同特殊鋼株式会社
代理人 (1件)： 足立 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-197978
公開番号（公開出願番号）：特開平9-025525
出願日： 1995年07月10日
公開日（公表日）： 1997年01月28日
要約：

【要約】【課題】 ヒートシンク台におけるLSIの冷却効果を向上させ、そのようなヒートシンク台を容易に製造できるようにする。【解決手段】 LSI接合部部品31(85W-15CuのHIP焼結品)と、外表面部品33(純Cuの鋳造品)と、これらの中間に位置する中間部品32(70W-30CuのHIP焼結品)とを組み合わせた組立体30を、Al2 O3粉末を詰めたHIP缶15に埋没させてHIPを加える。LSI接合部部品31及び中間部品32は、それぞれ、W粉末とCu粉末とを混合・撹拌した上で粒径3〜8mmに造粒した粉末を、PPC炉で急速に溶融・凝固せしめて溶融化堆積物を形成し、この堆積物をAr雰囲気下でスタンプミル粉砕し、分級して得た複合粉末をプレス成形・焼結後に、HIP缶の中に埋没させ、HIPにかけて製造しておく。

請求項（抜粋）：

W,Mo等の低熱膨張性金属と、Cu,Ag等の高熱伝導性金属との合金体からなる部分を有するLSI用のヒートシンク台であって、前記合金体の部分が、低熱膨張性金属と高熱伝導性金属とが互いに均一に分散されて溶体化した上で全体に金属拡散接合された組織により構成されていることを特徴とするヒートシンク台。

IPC (4件)：

C22C 1/04 ,  B22F 3/00 ,  C22C 27/04 ,  H01L 23/373

FI (4件)：

C22C 1/04 D ,  B22F 3/00 A ,  C22C 27/04 ,  H01L 23/36 M

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭50-062776
  
• Cu-W焼結体の製造法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-068740   出願人：日本タングステン株式会社