CMP装置及びCMP用研磨パッドの調整方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：上柳雅誉 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-350452
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151934
出願日： 2001年11月15日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】研磨パッド及びコンディショナ(ドレッサ)を効率的に使いウェハ研磨加工能率が向上するCMP装置及びCMP用研磨パッドの調整方法を提供する。【解決手段】研磨盤11は研磨パッド12を配する。ウェハキャリア13は半導体ウェハ14を保持して研磨盤11の中心(×印)から所定距離離れた領域でウェハ表面を水平に研磨パッド12に適当な圧力で接触させる。半導体ウェハ14に対する化学的機械的研磨が実施される間(途中研磨されない間も含む)において、測定機構16はリアルタイムでパッド表面状態を把握する。ドレス制御機構17では測定機構16の測定データを利用してドレス制御のための制御データが生成される。コンディショナ15は、この制御データに従って動作制御され、化学的機械的研磨が実施されている間に研磨パッドのドレス制御が達成される。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハ上の被平坦化処理層を化学的機械的研磨により平坦化するCMP装置に関し、研磨パッドが配された研磨盤と、前記半導体ウェハを保持しそのウェハ表面を研磨パッドに接触させるウェハキャリアと、前記研磨パッドの表面状態をドレスするコンディショナと、前記研磨パッドにスラリーが供給され前記ウェハキャリアの制御による前記半導体ウェハに対する前記化学的機械的研磨の実施中を含む装置可動時の間における所定段階で前記研磨パッドの表面状態を把握する測定機構と、前記測定機構からの信号に応じて前記コンディショナのドレス動作を制御するドレス制御機構と、を具備したことを特徴とするCMP装置。

IPC (7件)：

H01L 21/304 622 , H01L 21/304 , B24B 37/00 , B24B 49/12 , B24B 49/18 , B24B 53/02 , B24B 53/12

FI (7件)：

H01L 21/304 622 M , H01L 21/304 622 R , B24B 37/00 A , B24B 49/12 , B24B 49/18 , B24B 53/02 , B24B 53/12 Z

Fターム (15件)：

3C034AA08 , 3C034BB93 , 3C034CA09 , 3C034DD05 , 3C047BB01 , 3C047BB16 , 3C047EE02 , 3C047EE11 , 3C058AA07 , 3C058AA19 , 3C058AC02 , 3C058CA01 , 3C058CB01 , 3C058CB03 , 3C058DA12

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