特許
J-GLOBAL ID：200903062091452481
マスク合わせ方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-194038
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036584
出願日： 1991年08月02日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：
【要約】【目的】多層構造に対応した複数回数の合わせフォトリソグラフィを可能にするために、素子製造プロセス過程において合わせマークを露出させて複数回のマスク合わせ露光を可能にし、またその合わせ精度を向上させることの可能なマスク合わせ方法を提供する。【構成】クラッド7の形成(工程?C?D)の時に、該基板側合わせマーク2上にクラッド7が堆積しないようにSiなどによる基板側合わせマークカバー15を使って該基板側合わせマーク2を露出させる工程と、第2回フォトリソグラフィのレジスト塗布時に、該基板側合わせマーク2上にレジストが塗布されない様にする。従って、第2回目の合わせフォトリソグラフィの時には、該基板側合わせマーク2は露出しているので、高精度なマスク合わせが可能となる。
請求項（抜粋）：
基板上に金属膜をフォトリソグラフィ技術を用いて多層状に積層した回路を製造する際に、第1の金属膜上に第1のマスクを用いて基盤側合わせマーク付のパターンを形成し、該パターン上に次の金属膜を積層する際に、前記基板側合わせマークが該金属膜で覆われないように基板側合わせマーク部のカバーを用いて次の金属膜を積層後、該マークカバーを取り外し、該マークカバー以外の所にフォトレジストを塗布し、次のマスクを用いて前記基板側合わせマークと次のマスクのマークを合わせてフォトリソグラフィを行うことを特徴とするマスク合わせ方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
