特許
J-GLOBAL ID：200903062095405062
炭化ケイ素単結晶の製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-157462
公開番号（公開出願番号）：特開平7-010697
出願日： 1993年06月28日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：
【要約】【目的】 良質で品質安定性に優れた炭化ケイ素単結晶を得る。【構成】 ルツボ1の一側に配置した種結晶に対向して、ルツボ1の他側に炭化ケイ素粉末2を収容する。ルツボ1を上部ヒータ7及び下部ヒータ8で取り囲む。上部ヒータ7は、昇華帯が種結晶側から上方に順次移動するように、独立して制御可能な複数の掃引ヒータ7b1 〜7b3 からなる。昇華帯の移動は、ルツボ1を昇華中に下降させることにより、昇華帯を移動させることもできる。【効果】 炭化ケイ素粉末2が種結晶側から順次昇華するため、結晶成長面に同じ条件下で昇華ガスが連続的に降り注ぎ、結晶成長が連続的に行われる。したがって、成長方向に沿って品質が変化することがなく、良質で品質安定性に優れた炭化ケイ素単結晶が得られる。
請求項（抜粋）：
ルツボの一側に配置した種結晶と、該種結晶に対向して前記ルツボの他側に収容した炭化ケイ素粉末と、前記ルツボを取り囲み、前記炭化ケイ素粉末を昇華させ前記種結晶の上に単結晶として成長させる温度勾配で前記ルツボを加熱するヒータとを備え、昇華帯における前記ヒータは、昇華帯が前記種結晶側から順次移動するように独立して制御可能な複数のヒータからなる炭化ケイ素単結晶の製造装置。
IPC (2件)：
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