特許

J-GLOBAL ID：200903062097494356

光吸収層の作製方法

発明者： 武内 伸介 ,  久米 智之 ,  小丸 貴史
出願人/特許権者： 本田技研工業株式会社
代理人 (1件)： 鳥井 清
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-107181
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258282
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【目的】 Cu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサを形成するに際して、エネルギー変換効率の良い光吸収層を作製するべく、組成が密なIn層をスパッタリングによって容易に形成できるようにする。【構成】 化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサを形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製する方法にあって、酸素を添加したスパッタガスの雰囲気下でIn層を形成するようにする。

請求項（抜粋）：

化合物半導体による薄膜太陽電池における裏面電極上にCu-Ga合金層およびIn層からなる積層プリカーサをスパッタ法により形成して、Se雰囲気中で熱処理することによってCIGS系の光吸収層を作製する方法において、酸素を添加したスパッタガスの雰囲気下でIn層を形成するようにしたことを特徴とする光吸収層の作製方法。

Fターム (6件)：

5F051AA10 ,  5F051CB15 ,  5F051CB24 ,  5F051CB29 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03