特許
J-GLOBAL ID：200903062103809410
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-138568
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077420
出願日： 1993年06月10日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：
【要約】【目的】 ローコストで高性能なバイポーラトランジスタとMIS型トランジスタとを搭載したBiCMOS型半導体装置を提供する。【構成】 シリコン基板1の上に、誘電体膜であるシリコン酸化膜18とその保護膜であるシリコン窒化膜18A又はポリシリコン膜18Bを形成する。2つの膜を選択的にエッチングして、バイポーラトランジスタのコンタクト孔17a〜17cを形成した後、基板全体の上に導電膜であるポリシリコン膜21を堆積し、これを選択的にエッチングして、電極21a〜21fを形成する。MIS型トランジスタにおいて、保護膜はシリコン窒化膜18Aのときにはゲート絶縁膜となり、ポリシリコン膜18Bのときにはゲート電極となる。これにより、バイポーラトランジスタのコンタクト孔の形成工程でゲート絶縁膜が汚染されるのを防止し、ローコストで高性能なBiCMOS型半導体装置を形成する。
請求項（抜粋）：
共通の半導体基板上に、MIS型トランジスタとバイポーラトランジスタとを配設してなる半導体装置において、上記MIS型トランジスタは、上記半導体基板の上に形成され、ゲート絶縁膜として機能する誘電体膜と、該誘電体膜の上にかつ上に形成され、汚染物質の通過を阻止して誘電体膜を保護するための保護膜と、該保護膜の上に形成され、ゲート電極として機能する導電体膜とを備える一方、上記バイポーラトランジスタは、上記半導体基板のエミッタ,ベース及びコレクタのうち少なくとも1つの活性領域の上に、それぞれ上記MIS型トランジスタの誘電体膜及び保護膜と同じ材質で形成された誘電体膜及び保護膜と、該誘電体膜及び保護膜のうち半導体基板の活性領域の上方が開口されてなるコンタクト孔と、上記保護膜の少なくとも一部と上記コンタクト孔の露出面とを覆うように形成され、活性領域に接触する電極とを備えたことを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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