特許

J-GLOBAL ID：200903062105952857

接合された基板中に真性ゲッタリング・サイトを作る方法およびシリコン半導体基板中の可動性イオンを捕捉する方法

発明者： ジェイムズ・ダブリュー・ベーカー
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 本城 雅則 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-029682
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275429
出願日： 1993年01月27日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：

【要約】【目的】 接合されたシリコン基板の中に多数の真性ゲッタリング・サイトを作る方法を提供する。【構成】 接合されたシリコン基板(21)の中に多数の真性ゲッタリング・サイトを作る方法を提供するものである。第1のシリコン基板(10)に第1および第2の表面(12,13)があるとする。第1のシリコン基板(10)の第1の表面(12)には多数の核形成イオン(14)が打ち込まれる。次に第1のシリコン基板(10)は多数の核形成イオンから多数の核形成サイトが生成されるように熱せられる。次に、第1の表面(22)を有する第2の基板(20)が第1のシリコン基板(10)の第1の表面(12)と接合される。第1のシリコン基板(10)の予め定められた部分(24)が第1のシリコン基板(10)の第2の表面(13)から削除され、これによって多数の真性ゲッタリング・サイトをその作用域に有する薄い基板が与えられるのであるが、この薄い基板はハンドルとなる半導体基板に接合されているのである。

請求項（抜粋）：

接合されたシリコン基板に多数のゲッタリング・サイトを作る方法であって:第1と第2の表面を有する第1のシリコン基板を用意するステップ;第1のシリコン基板の第1の表面に多数の核形成イオンを打ち込むステップ;多数の核形成イオンから多数の核形成サイトが生成されるように第1のシリコン基板を熱するステップ;第2の基板を第1のシリコン基板の第1の表面に接合するステップ;第1のシリコン基板の第2の表面から予め定められた部分を削除し、これによって第1のシリコン基板に多数の真性ゲッタリング・サイトを第1のシリコン基板の作用域の近くに与えるステップ;から成ることを特徴とする方法。

IPC (2件)：

H01L 21/322 ,  H01L 27/12