特許
J-GLOBAL ID：200903062109045030
絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (3件)：
岡戸 昭佳
, 富澤 孝
, 山中 郁生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-096785
公開番号（公開出願番号）：特開2005-286042
出願日： 2004年03月29日
公開日（公表日）： 2005年10月13日
要約：
【課題】高耐圧化と低オン抵抗化とを確実に図ることができ,かつ簡便に作製することができる絶縁ゲート型半導体装置およびその製造方法を提供すること。【解決手段】半導体装置100は,N+ ソース領域31,N+ ドレイン領域11,P- ボディ領域41およびN- ドリフト領域12を備えている。また,P- ボディ領域41を貫通するゲートトレンチ21,耐圧保持トレンチ27,終端トレンチ62がそれぞれ設けられている。そして,各トレンチの下方にはそれぞれPフローティング領域51,57,53が設けられている。最小径のゲートトレンチ21の内径L1は,セルエリアのゲートトレンチ21,21の間隔L2よりも広い。また,最小径のゲートトレンチ21と耐圧保持トレンチ27との間隔L3は,セルエリアのゲートトレンチ21,21の間隔L2よりも狭い。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
半導体基板内の上面側に位置し第1導電型半導体であるボディ領域と,前記ボディ領域の下方に接し第2導電型半導体であるドリフト領域と,前記ドリフト領域に囲まれるとともに第1導電型半導体であるフローティング領域と,半導体基板の上面から前記ボディ領域を貫通し,その底部が前記フローティング領域内に位置し,ゲート電極を内蔵するゲートトレンチ部とを有する絶縁ゲート型半導体装置において,
ゲートトレンチ部の底部に位置するフローティング領域のうち半導体基板の板面方向に対して隣り合う,フローティング領域の間にフローティング領域を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652H
, H01L29/78 652N
, H01L29/78 653A
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (6件)
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