特許

J-GLOBAL ID：200903062109288617

絶縁体基板対応プラズマ処理装置

発明者： 上出 幸洋
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-108854
公開番号（公開出願番号）：特開平11-307513
出願日： 1998年04月20日
公開日（公表日）： 1999年11月05日
要約：

【要約】【課題】 プラズマ放電を利用した処理を行うプラズマ処理装置において、絶縁体基板に対して処理を行う場合であっても、絶縁体基板面上の加工均一性の確保を実現する。【解決手段】 絶縁体基板1が載置される電極10は、その載置面11を平滑で、かつ、その端縁外周12を前記絶縁体基板1の外周よりも小さく形成し、前記絶縁体基板1を前記電極10上に載置する基板搬送補助手段32は、前記載置面11の外側で前記絶縁体基板1の外周近傍を下方から支持するように形成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子の基となる絶縁体基板が載置される電極と、該電極上への前記絶縁体基板の載置および前記電極上からの前記絶縁体基板の搬出を行うための基板搬送補助手段とを備え、前記電極上に載置された絶縁体基板に対してプラズマ放電を利用した処理を行う絶縁体基板対応プラズマ処理装置において、前記電極は、前記絶縁体基板の載置面が平滑で、かつ、該載置面の端縁外周が前記絶縁体基板の外周よりも小さく形成され、前記基板搬送補助手段は、前記載置面の外側で前記絶縁体基板の外周近傍を下方から支持した後上方から挟み込むよう形成されたことを特徴とする絶縁体基板対応プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/302 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/68 N