特許
J-GLOBAL ID：200903062110487461
ダイヤモンド電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-315608
公開番号（公開出願番号）：特開平7-050419
出願日： 1993年12月15日
公開日（公表日）： 1995年02月21日
要約：
【要約】【目的】 安価に大量の電気的特性が優れたダイヤモンド電界効果トランジスタを提供する。【構成】 動作層と、ゲートと、ソース及びドレインとを有する電界効果トランジスタにおいて、前記動作層が、気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜であって、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)又は(111)結晶面から構成されており、隣接する(100)又は(111)結晶面の結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を満足する高配向性ダイヤモンド薄膜からなる半導体層により構成されている。
請求項（抜粋）：
動作層と、ゲートと、ソース及びドレインとを有する電界効果トランジスタにおいて、前記動作層が、気相合成によって形成されたダイヤモンド薄膜であって、その薄膜表面積の80%以上がダイヤモンドの(100)結晶面から構成されており、隣接する(100)結晶面の結晶面方位を表すオイラー角{α,β,γ}の差{△α,△β,△γ}が|△α|≦5°、|△β|≦5°、|△γ|≦5°を満足する高配向性ダイヤモンド薄膜からなる半導体層により構成されていることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
引用特許：
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