特許
J-GLOBAL ID：200903062111387770
高周波スイッチ
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
武田 元敏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-022683
公開番号（公開出願番号）：特開平6-237101
出願日： 1993年02月10日
公開日（公表日）： 1994年08月23日
要約：
【要約】【目的】 2本のアンテナのうち一方のアンテナを用いて送信しているときに、他方のアンテナに不要な電波の放射を抑圧する。【構成】 従来の高周波スイッチ回路の第1のアンテナ端子101と送信端子103の間の直列FET4(109)の第1のアンテナ端子側接続端子109-5、および第2のアンテナ端子104と送信端子103の間の直列FET5(110)の第2のアンテナ端子側接続端子110-8に、それぞれ並列FET3,FET6を接続し、各FET1〜FET8のON/OFF動作の組み合わせ制御により、第1,第2アンテナと受信端子101,105、送信端子103の接続,遮断を行う。
請求項（抜粋）：
第1のアンテナ端子と送信端子の間に接続された直列電界効果トランジスタFET4の前記第1のアンテナ端子側の第5の接続端子、および第2のアンテナ端子と前記送信端子の間に接続された直列電界効果トランジスタFET5の前記第2のアンテナ端子側の第8の接続端子に、それぞれ並列電界効果トランジスタFET3,FET6が接続され、第1の受信端子と前記第1のアンテナ端子の間に並列および直列の各電界効果トランジスタFET1,FET2が、また第2の受信端子と前記第2のアンテナ端子の間に直列および並列の各電界効果トランジスタFET7,FET8がそれぞれ接続され、前記各電界効果トランジスタFET1ないしFET8のON/OFF動作の組み合わせ制御により前記第1,第2のアンテナ端子と第1,第2の受信端子の接続、第1,第2のアンテナ端子と送信端子の接続および遮断を行うようにしたことを特徴とする高周波スイッチ。
IPC (3件)：
H01P 1/15
, H03K 17/693
, H04B 1/44
