特許
J-GLOBAL ID：200903062115339703
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-230248
公開番号（公開出願番号）：特開2000-058862
出願日： 1994年05月24日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 キャリアの移動度の高い半導体装置を得る。【解決手段】 基板101上の下地膜102上に105の方向に結晶成長した結晶性を有する非単結晶珪素膜を設け、この結晶成長した方向とキャリアが移動する方向と概略一致する方向に、ソース/ドレイン領域、111/113を設けることにより、高移動度を有する半導体装置を得る。この結晶成長した方向は、〔110〕の軸方向を有し、また他の方向に対して高い導電率を有する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けられた画素電極と、結晶性を有し、かつ前記画素電極に接続された半導体膜を用いた薄膜トランジスタとを有する半導体装置であって、前記半導体膜は基板表面と概略平行な方向に結晶成長しており、前記結晶成長方向は概略〔110〕軸の方向に一致し、前記結晶成長方向と前記半導体装置におけるキャリアが移動する方向とを概略一致せしめたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/786
, H01L 21/336
, H01L 21/20
H01L 29/78 618 Z
, H01L 21/20
, H01L 29/78 627 G
