特許
J-GLOBAL ID：200903062115440897
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-177896
公開番号（公開出願番号）：特開平6-020996
出願日： 1992年07月06日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：
【要約】【目的】高アスペクト比の微細コンタクトのコンタクト抵抗を低減するためのコンタクト構造及びその製造方法を提供する。【構成】半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、前記不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、前記開孔部内に被着した不純物をドープしたバリア層を少なくとも有する。【効果】コンタクト径がサブミクロン以下でアスペクト比が高いコンタクトホールに対して、P+拡散層、N+拡散層共、低抵抗でオーミック性の優れたコンタクト構造が形成可能となった。従来のようなコンタクトホール開孔後の、イオンインプラ工程や不純物の活性化のための高温アニール工程が不要となり、より簡便なプロセスで、不純物の再分布、熱ストレスによるダメージ等を生ずることもなく、優れたコンタクト特性を際限良く実現できる。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の所定領域に形成された不純物領域と、前記不純物領域の上部に開孔部を有する層間絶縁膜と、少なくとも前記開孔部内に形成したチタンと窒素を主たる構成元素とするバリア層を少なくとも有し、前記バリア層のチタンと窒素の組成比が膜厚方向で一定でなく、前記不純物領域側でTiリッチとすることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/26
