半導体発光素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：藤谷修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-125033
公開番号（公開出願番号）：特開平6-314825
出願日： 1993年04月28日
公開日（公表日）： 1994年11月08日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】長寿命な半導体発光素子の提供。【構成】LED10 はサファイア基板1を有し、バッファ層2、膜厚2.2 μmのGaN n+ 層3、膜厚1.5 μmのGaN n層4、膜厚0.1 μmのGaN p層(またはi層)5が形成され、Al電極7,8 とが形成されている。p層5の表面にはSiO2からなる絶縁層9が形成され、絶縁層9の電極間の表面は細かく浅い溝が一本以上形成されている。絶縁膜9は誘電体でもあり、電極間の電界は誘電体中が弱くなり、絶縁膜9の表面の電界は弱くなるためエレクトロマイグレーションは弱められ、結果として半導体発光素子の平均寿命を増大させる。

請求項（抜粋）：

同一面側に正負一対の素子電極が形成され、前記素子電極の形成された面が、金属メッキを施したリードフレームに半田付けされた半導体発光素子において、前記素子電極側の面で前記素子電極以外の全表面に絶縁膜を有することを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

出願人引用 (6件)

特開平3-016278
特開昭58-070585
特開平1-293672

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審査官引用 (11件)

半導体発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-185340 出願人：豊田合成株式会社
特開平3-016278
特開昭63-015483

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