特許

J-GLOBAL ID：200903062120081293

無機化合物単結晶成長方法

発明者： 川上 博 ,  片野 築 ,  斉藤 真 ,  岡田 英夫 ,  川端 紳一郎
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-152356
公開番号（公開出願番号）：特開平7-010674
出願日： 1993年06月23日
公開日（公表日）： 1995年01月13日
要約：

【要約】【目的】 揮発性元素を含有する無機化合物単結晶を垂直ボート成長方法で成長させる方法において、固液界面を上凸型に湾曲した曲面となるように制御して高品質の単結晶を得ることを目的とする。【構成】 上部に揮発性元素雰囲気を発生させる揮発性元素保持部を有し、下端部に種結晶保持部を有する密閉型坩堝を用いて、該坩堝の下端部を強制的に冷却しながら無機化合物単結晶を成長させる。

請求項（抜粋）：

揮発性元素を含有する無機化合物単結晶を、ほぼ鉛直に保持した坩堝中を用いて揮発性元素雰囲気中で成長させる方法において、上部に揮発性元素雰囲気を発生させる揮発性元素保持部を有し、下端部に種結晶設置部を有する密閉型坩堝を用いて、該坩堝の下端部を強制的に冷却しながら無機化合物単結晶を成長させることをすることを特徴とする方法。

IPC (3件)：

C30B 11/00 ,  C30B 27/00 ,  C30B 29/40 501