特許

J-GLOBAL ID：200903062120234316

膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜

発明者： 林 英治 ,  西川 通則 ,  山田 欣司
出願人/特許権者： ジェイエスアール株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-206164
公開番号（公開出願番号）：特開2002-003784
出願日： 2000年07月07日
公開日（公表日）： 2002年01月09日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子などにおける層間絶縁膜材料として、短時間焼成が可能であり、PCT(Pressure Cooker Test)後のクラック耐性に優れたシリカ系膜が形成可能な膜形成用組成物を得る。【解決手段】 (A)それぞれ下記一般式(1)、(2)、(3)で表される化合物の群から選ばれた少なくとも1種の加水分解縮合化合物、(B)元素周期表IA及びIIA族金属の化合物から選ばれる少なくとも一種ならびに、(C)有機溶媒を含有する膜形成用組成物。Ra(Si)(OR1)4-a・・・・(1)Si(OR2)4・・・・(2)R3b(R4O)3-bSi-(R7)d-Si(OR5)3-cR6c・・・・(3)(式中RはH、F、又は一価の有機基、R1〜R6は一価の有機基、R7はO、フェニレン基又は-(CH2)n-、aは1〜2の整数、b、cは0〜2の数、dは0または1、nは1〜6の整数を示す。)

請求項（抜粋）：

(A)(A-1)下記一般式(1)で表される化合物、Ra Si(OR1 )4-a ・・・・・(1)(式中、Rは水素原子、フッ素原子または1価の有機基、R1 は1価の有機基、aは1〜2の整数を示す。)(A-2)下記一般式(2)で表される化合物、およびSi(OR2 )4 ・・・・・(2)(式中、R2 は1価の有機基を示す。)(A-3)下記一般式(3)で表される化合物 R3 b (R4 O)3-b Si-(R7 )d -Si(OR5 )3-c R6 c ・・・・・(3)〔式中、R3 〜R6 は同一または異なり、それぞれ1価の有機基、b〜cは同一または異なり、0〜2の整数、R7 は酸素原子、フェニレン基または-(CH2)n -で表される基(ここで、nは1〜6の整数である)、dは0または1を示す。〕の群から選ばれた少なくとも1種の化合物を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物、(B)元素周期表におけるIA族金属およびIIA族金属の化合物から選ばれる少なくとも1種ならびに(C)有機溶媒を含有することを特徴とする膜形成用組成物。

IPC (3件)：

C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14

FI (3件)：

C09D183/04 ,  C09D183/02 ,  C09D183/14

Fターム (47件)：

4J038DL021 ,  4J038DL041 ,  4J038DL161 ,  4J038GA12 ,  4J038HA066 ,  4J038HA096 ,  4J038HA116 ,  4J038HA126 ,  4J038HA176 ,  4J038HA336 ,  4J038HA376 ,  4J038HA416 ,  4J038HA476 ,  4J038JA18 ,  4J038JA20 ,  4J038JA22 ,  4J038JA26 ,  4J038JA33 ,  4J038JA37 ,  4J038JA38 ,  4J038JA40 ,  4J038JA44 ,  4J038JA45 ,  4J038JA46 ,  4J038JA47 ,  4J038JA50 ,  4J038JA56 ,  4J038JA58 ,  4J038JB01 ,  4J038JB03 ,  4J038JB13 ,  4J038JB27 ,  4J038JB29 ,  4J038JB30 ,  4J038JB32 ,  4J038JC13 ,  4J038JC14 ,  4J038JC22 ,  4J038JC38 ,  4J038KA04 ,  4J038KA06 ,  4J038LA03 ,  4J038MA07 ,  4J038NA11 ,  4J038NA21 ,  4J038PA19 ,  4J038PB09