特許
J-GLOBAL ID:200903062121067529

半導体デバイス成長用マスクおよび半導体デバイスの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 谷 義一 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平3-243505
公開番号(公開出願番号):特開平5-082909
出願日: 1991年09月24日
公開日(公表日): 1993年04月02日
要約:
【要約】 (修正有)【目的】 遷移領域におけるエキシトンの影響を抑制し、その吸収による挿入損失を低減化する。【構成】 基板上にそれぞれ異なる機能を有する2つ以上の機能部を有する半導体デバイスを作成するためのマスクであって、2つ以上の機能部を接続する接続導波路用領域におけるマスクの幅W3が、機能部を成長させるための機能部用領域におけるマスクの幅W1及びW2よりも狭い。
請求項(抜粋):
基板上にそれぞれ異なる機能を有する2つ以上の機能部を有する半導体デバイスを作成するためのマスクであって、前記2つ以上の機能部を接続する接続導波路用領域におけるマスク幅が、前記機能部を成長させるための機能部用領域におけるマスク幅よりも狭いことを特徴とする半導体デバイス成長用マスク。
IPC (2件):
H01S 3/18 ,  H01L 21/027

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