特許

J-GLOBAL ID：200903062128554000

新規な1-置換-2-ジフェニルホスフィノナフタレンおよびこれを配位子とする遷移金属錯体

発明者： 宮野 壮太郎 ,  服部 徹太郎 ,  小室 靖子 ,  雲林 秀徳
出願人/特許権者： 高砂香料工業株式会社
代理人 (1件)： 有賀 三幸 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050312
公開番号（公開出願番号）：特開平9-241277
出願日： 1996年03月07日
公開日（公表日）： 1997年09月16日
要約：

【要約】【解決手段】 次の一般式(1)【化1】〔式中、R1、R2、R3、R4 は同一又は異って、その少なくとも1つは、アルコキシ基で置換されていてもよい炭素数1〜4の低級アルキル基、フェニル基又は基OR6(R6 は水素原子、炭素数1〜4の低級アルキル基又はアルコールの保護基を示す)を示し、残余は水素原子を示す。Aは単結合又はメチレン基を示し、R5 は置換基を有していてもよいフェニル基を示す〕で表わされる1-置換-2-ジフェニルホスフィノナフタレンおよびこれを配位とする遷移金属錯体。【効果】 本発明の1-置換-2-ジフェニルホスフィノナフタレン(1)から得られた遷移金属錯体は、不斉合成反応の触媒として有用であり、これを使用することにより所望する絶対配置の目的物を高収率で得ることができる。

請求項（抜粋）：

次の一般式(1)【化1】〔式中、R1、R2、R3、R4 は同一又は異って、その少なくとも1つは、アルコキシ基で置換されていてもよい炭素数1〜4の低級アルキル基、フェニル基又は基OR6(R6 は水素原子、炭素数1〜4の低級アルキル基又はアルコールの保護基を示す)を示し、残余は水素原子を示す。Aは単結合又はメチレン基を示し、R5 は置換基を有していてもよいフェニル基を示す〕で表わされる1-置換-2-ジフェニルホスフィノナフタレン。

IPC (5件)：

C07F 9/572 ,  B01J 31/24 ,  C07B 53/00 ,  C07F 15/00 ,  C07M 7:00

FI (6件)：

C07F 9/572 Z ,  B01J 31/24 Z ,  C07B 53/00 B ,  C07F 15/00 A ,  C07F 15/00 B ,  C07F 15/00 C