特許
J-GLOBAL ID：200903062130799427
半導体基板洗浄方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-075041
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283389
出願日： 1992年03月31日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】イオン注入などによって半導体基板内部に打ち込まれた汚染物を除去できるようにすることによって洗浄効果の向上を計る。【構成】合成樹脂製チャンバ7内に、弗化水素容器5からの弗化水素蒸気1を気相洗浄処理する工程と、純水リンス工程とを含む洗浄方法又は、上記方法に加え、半導体基板1を70〜120°Cに加熱する工程とを含む洗浄方法である。
請求項（抜粋）：
オゾンを含有する弗化水素蒸気中で半導体基板を気相洗浄処理後、純水リンスすることを特徴とする半導体基板洗浄方法。
IPC (3件)：
H01L 21/304 341
, H01L 21/304
, H01L 21/304 361
