高純度テレフタル酸を製造する方法

発明者：
出願人/特許権者： , ,
代理人 (1件)：大谷保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-299465
公開番号（公開出願番号）：特開平7-149690
出願日： 1993年11月30日
公開日（公表日）： 1995年06月13日
要約：

【要約】【目的】液相酸化して得られた粗テレフタル酸の接触水素化処理後のテレフタル酸結晶スラリー溶液から高純度テレフタル酸を製造する方法。【構成】p-キシレン等の液相酸化をコバルトおよびマンガン触媒及び臭化化合物の存在下、酢酸溶液中、10〜30気圧、150〜240°Cで又は、コバルト触媒の存在下、酢酸溶液中、5〜20気圧、100〜170°Cで行い、得られた粗テレフタル酸を第8族貴金属触媒の存在下、200°C以上の高温水中で接触水素化処理し、触媒を除去後、落圧、降温してテレフタール酸結晶スラリー溶液とし、それを120〜200°Cに温調して溶媒置換塔に導入し、溶媒置換塔の下部から導入された高温水の上昇流と接触させ、スラリー母液を塔頂より、またテレフタル酸結晶を高温水と共にスラリー溶液として塔底部よりそれぞれ抜き出し、後者のスラリー溶液からテレフタル酸結晶を分離する。

請求項（抜粋）：

p-フェニレン化合物(ただし、パラ位にはカルボキシル基及び又はカルボキシル基生成性被酸化性置換基を有する)の液相酸化をコバルトおよびマンガン触媒及び臭化化合物の存在下、酢酸溶液中、10〜30気圧、150〜240°Cで、又はコバルト触媒の存在下、酢酸溶液中、5〜20気圧、100〜170°Cで行い、得られた粗テレフタル酸を第8族貴金属触媒の存在下、200°C以上の高温水中で接触水素化処理し、触媒を分離除去した後、落圧、降温してテレフタール酸結晶スラリー溶液とし、該テレフタル酸結晶スラリー溶液を120〜200°Cの温度に調節して溶媒置換塔に導入し、溶媒置換塔の下部から導入された高温水の上昇流と接触させ、テレフタル酸結晶スラリー溶液の母液を塔頂より抜き出すとともに、テレフタル酸結晶を高温水と共にスラリー溶液として塔底部より抜き出し、該塔底部より抜き出されたスラリー溶液からテレフタル酸結晶を分離することを特徴とする高純度テレフタル酸を製造する方法。

IPC (5件)：

C07C 63/26 , B01J 27/128 , B01J 31/04 , C07C 51/265 , C07B 61/00 300

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平1-160942
特開昭55-143933
スラリー特性に優れたテレフタル酸の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-011855 出願人：三菱化学株式会社

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