特許

J-GLOBAL ID：200903062131436301

半導体発光素子およびその製造方法

発明者： 水由 明 ,  鶴間 功
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 柳田 征史 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-267358
公開番号（公開出願番号）：特開2001-094211
出願日： 1999年09月21日
公開日（公表日）： 2001年04月06日
要約：

【要約】【課題】 逆メサリッジ構造を有する半導体発光素子において、実装の際、幅の狭いリッジ頂上部以外にボンディングが行えるようにする。【解決手段】 絶縁膜22を形成した後、逆メサ型リッジ部両脇の溝底部および電流注入窓上および該溝を挟んで前記窓と反対側の半導体層上にAuGe/Ni/Auからなる電極23を形成し、電解選択金メッキ法により、溝底面の電極上にのみ金25を堆積し、溝上部まで堆積し、該上部まで堆積された金が窓上と前記溝を挟んで反対側の半導体層上の電極23と導通した後、引き続き金を堆積して平坦な金属層を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上に活性層を備えた半導体層に、ストライプ状に逆メサ型のリッジ部が形成されており、該リッジ部に沿って該リッジ部の両脇に溝が形成されており、該リッジ部および溝が形成された半導体層の露出した面を覆うように、前記活性層にキャリアを注入するための窓を前記リッジ部上に備えた絶縁膜が形成されてなる半導体発光素子において、前記溝の少なくとも一方の内部が金属により埋め込まれており、かつ、前記金属により、前記窓上から該溝を挟んで反対側の前記半導体層上まで金属層が形成されていることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/22 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/022

FI (3件)：

H01S 5/22 ,  H01L 33/00 N ,  H01S 5/022

Fターム (18件)：

5F041AA33 ,  5F041AA40 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA39 ,  5F041CA93 ,  5F041CA99 ,  5F073AA13 ,  5F073AA74 ,  5F073CA13 ,  5F073CB11 ,  5F073CB21 ,  5F073DA30 ,  5F073EA28