特許

J-GLOBAL ID：200903062136797604

半導体装置およびその製造方法

発明者： 國清 辰也
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-305289
公開番号（公開出願番号）：特開平6-151833
出願日： 1992年11月16日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：

【要約】【目的】 キャリア捕獲中心に起因する劣化に対して耐性がある半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】 ドレイン領域7b,10bの近傍において、ゲート酸化膜13は基板1と成す障壁エネルギーが大きなONO膜13bを備える。このエネルギー障壁はDAHCのゲート酸化膜での捕獲を抑制する。ドレイン領域7b,10bの近傍以外では、通常の酸化膜13aが備えられている。このため、誘電率の高いONO膜を一様にゲート酸化膜13に採用する場合と比較して、MOSトランジスタの動作速度は速くなる。【効果】 半導体装置の動作速度を損なうことなく、酸化膜へのキャリアの注入を抑制する。

請求項（抜粋）：

半導体基板と、前記半導体基板の上面において互いに離れて形成された第1及び第2の半導体層と、前記半導体基板の上面の内、少なくとも前記第1及び第2の半導体層が挟む部分の上に形成されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜を介して前記半導体基板に対峙するゲート電極と、を備え、前記ゲート酸化膜が前記半導体基板の上面と成すエネルギー障壁は、少なくとも前記第1の半導体層近傍において高められている半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/115 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 27/10 434 ,  H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-116869
  
• 特開平4-199863
  
• 特開昭58-182876