特許

J-GLOBAL ID：200903062139865155

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 佐藤 久子 ,  増田 弘生 ,  常野 克己 ,  市川 仁子 ,  中村 高秀 ,  国友 久彰
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-181190
公開番号（公開出願番号）：特開平8-045865
出願日： 1994年08月02日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：

【要約】【目的】 素子特性の優れた半導体集積回路装置と、それを容易に製作できる製造技術を提供する。【構成】 半導体基板1の選択的な領域に不純物を濃度が固溶限以下となるドーズ量をもって行うイオン打ち込みを2回以上行い半導体基板1に不純物のイオン打ち込みを行った後に、不純物をアニールするための1回目のアニールを行い、その後1回以上のアニールを行い、最終回以外の前記アニールにおけるアニール温度よりも高温度のアニール温度により最終回のアニールを行い拡散層9を形成することにより、不純物の活性化率を高めて拡散層9におけるシート抵抗を低減できると共に一定にできる。

請求項（抜粋）：

第一の半導体領域と前記第一の半導体領域の選択的な領域に不純物のイオン打ち込みにより形成されている第二の半導体領域とを有し、前記第二の半導体領域における前記不純物の全部またはほとんどが活性化されていることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 21/265 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L 21/265 A ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 29/78 301 P