特許

J-GLOBAL ID：200903062153654493

半導体装置

発明者： 杉山 巖 ,  瀧川 宏
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 林 恒徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-164393
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013667
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 ハイブリッド型半導体装置に関し、金属バンプよりなる結合電極が装置の温度サイクルに依って位置ずれしないようにした装置の提供を目的とする。【構成】 互いに熱膨張率の異なる半導体チップ1,4 に形成した半導体素子2,3間を、互いに結合電極を介して接合したハイブリッド型半導体装置に於いて、前記両方の半導体チップ1,4 の何れかの周縁部に、スペーサ用バンプ11を設けるとともに、該スペーサ用バンプ11の外側に接着剤9を塗布し、両方の半導体チップ1,4 間を固着して構成する。

請求項（抜粋）：

互いに熱膨張率の異なる半導体チップ(1,4) に形成した半導体素子(2,3) 間を、結合電極を介して接合したハイブリッド型半導体装置に於いて、前記結合電極とは別個に半導体チップ(1,4) の周縁部の複数箇所の所定位置に、スペーサ用バンプ(11)を設けるとともに、該スペーサ用バンプ(11)の近傍に接着剤(9) を塗布し、両方の半導体チップ(1,4) 間を固着したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 25/16 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/321 ,  H01L 27/14

FI (2件)：

H01L 21/92 B ,  H01L 27/14 Z