特許

J-GLOBAL ID：200903062154163698

半導体製造装置

発明者： 大住 直人 ,  島田 真一 ,  柿崎 智
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 油井 透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-082627
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274092
出願日： 2000年03月23日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】 長時間連続して高精度の温度計測を行うことができるようにた半導体製造装置を得る。【解決手段】 反応管1内に装入したウェーハWを加熱して所定の処理を施す半導体製造装置において、反応管1内の測温対象物であるサセプタリング5に温度計測の標的としてのピン40を設けると共に、反応管1の外部側方に、ピン40からの熱放射を測定してサセプタリング5の温度を求める放射温度計41を設置した。

請求項（抜粋）：

反応管内に装入した基板を加熱して所定の処理を施す半導体製造装置において、前記反応管内の測温対象物に温度計測の標的としての目標物を設けると共に、前記反応管の外部に、前記目標物からの熱放射を測定して測定対象物の温度を求める放射温度計を設けたことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  G01J 5/02

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  G01J 5/02 K

Fターム (10件)：

2G066AC16 ,  2G066AC20 ,  2G066BA60 ,  5F045BB02 ,  5F045BB16 ,  5F045DP04 ,  5F045EB02 ,  5F045EK12 ,  5F045GB05 ,  5F045GB15